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师资队伍 

王明湘

姓名:王明湘性别:先生
学位:博士职称:研究员
所在部门:微电子工程系电子邮件:mingxiang_wang@suda.edu.cn
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 王明湘,1998年毕业于南京大学物理系凝聚态专业。2002年提升为苏州大学教授,2011年评为博士生导师,江苏省“333高层次人才培养工程”培养对象。现任苏州大学新型平板显示中心研究所所长,IEEE高级会员,国际信息显示学会会员,IEEE南京分部电子器件/固态电路联合分会第一副主席,国际学术期刊编委(Active and Passive Electronic Component), 担任11种国际学术期刊和3种国内学术期刊的评审人, 国家自然科学基金面上/青年项目,教育部博士后基金和国际科技合作计划评议专家。长期以来进行半导体物理,半导体器件物理的教学和和科学研究,理论基础雄厚、科研经验丰富,主持并完成国家自然科学基金3项,江苏省自然科学基金1项,国家重点实验室开放课题或横向课题4项,取得了出色的成果。2008年起,先后指导8名硕士研究生连续6年获得苏州大学优秀硕士学位论文奖,申请发明专利2项,3次荣获国际学术会议论文奖,7次获邀作国际会议邀请报告。申请人累计在SCI期刊上发表论文38篇,其中第一作者或作为导师/通讯作者的31篇,包括7篇发表于IEEE EDL16IEEE TED3APL1JAP。截止至20142月,排除所有共同作者引用后申请人论文被他人引用260篇。


研究领域

 1纳米硅、锗薄膜及其光电特性的研究

2、金属诱导结晶及低温多晶硅晶化技术的研究

3TFT器件的物理模型

4TFT表征方法和TFT退化新机制

科研项目

 

 1.  金属诱导低温多晶硅薄膜晶体管器件退化和机制研究(60406001  国家自然科学青年基金    负责   

2.  金属诱导低温多晶硅关键工艺和TFT器件可靠性研究(60510160242) 国家基金委对外交流与合作项目    负责

3.  基于TFT-LCD电路应用的非晶硅TFT器件可靠性研究(BK2009112江苏省自然科学基金  负责   

4.  新型无结(Junctionless)多晶硅薄膜晶体管的研制及其关键问题研究(61301077  国家自然科学青年基金    参与  在研

5.  有机/无机复合结构的近红外—可见光上转换器件研究(61307044国家自然科学青年基金    参与    在研

6.  集成霍尔元件及片上系统开发  苏州敏芯半导体技术有限公司横向课题  负责(已完成)

7.  基于多晶硅薄膜晶体管的平板显示驱动电路可靠性研究和优化设计(10KF002   复旦大学ASIC国家重点实验室开放课题    负责(结题)

8.  金属诱导低温多晶硅TFT的载流子输运和器件物理模型(61076085    国家自然科学基金    负责

9.  基于多晶硅薄膜晶体管的平板显示驱动电路可靠性研究和优化设计(DZXX146江苏省六大人才高峰资助项目  负责(已完成)

10. CMOS集成硅谐振器元件开发    苏州敏芯微电子技术有限横向课题  负责(已完成)

11. AMD Soochow University Campus Project  FEA Study for AMD Chipset Processing Stress Distribution Optimization    AMD公司大学合作研究项目   负责  在研

12. 薄膜半导体材料、器件和器件物理  苏州大学杰青培育项目    负责

代表性科研成果

 1.     Mingxiang Wang, Ronghua He and Dongli Zhang,A unified physical-based model of series resistance of polycrystalline silicon thin-film transistors with explicit analytical solutions, IEEETransactions on Electron Devices, Vol.60(9), pp. 2827-2833, 2013.

 2.    Jie Chen, Mingxiang Wang, Dongli Zhang, Ping Lv, and Man Wong, Schottky Barrier Controlled Conduction in Poly-Si TFTs with Metal Source and Drain, IEEETransactions on Electron Devices, Vol.60(6), pp. 1958-1964, 2013.

3.    Xiaoliang Zhou, and Mingxiang Wang, Meyer-Neldel Rule for Effective Channel Mobility in the Subthreshold Region of Poly-Si Thin-Film Transistors, IEEE Electron Device Letters,Vol. 3(5), 2013.

4.    Wei Chen, Mingxiang Wang, Yan Zhou, Man Wong, Degradation of Polycrystalline Silicon CMOS Inverters under AC Operation, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.60(1), pp.295-300, 2013.

5.   Meng Zhang, Mingxiang Wang, Xiaowei Lu, Man Wong, and Hoi-Sing Kwok, Analysis of degradation mechanisms in low-temperature polycrystalline silicon thin-film transistors under dynamic drain stress, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 59(6), pp.1730-1737, 2012. 

6.   Xiaowei Lu, Mingxiang Wang, Man Wong, A Two-Stage Degradation Model of p-Channel Low-Temperature Poly-Si Thin-Film Transistors Under Positive Bias Temperature Stress, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 5(10), pp. 3501-3505, 2011.

7.   Dapeng Zhou, Mingxiang Wang, Shengdong Zhang, Degradation of Amorphous Silicon Thin Film Transistors Under Negative Gate Bias Stress, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 58(10), pp. 3422-3427, 2011.

8.    Jie Zhou, Mingxiang Wang, Man Wong, Two-Stage Degradation of p-Channel Poly-Si Thin-Film Transistors Under Dynamic Negative Bias Temperature Stress, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 58(9), pp. 3034-3041, 2011.

9.     Yan Zhou, Mingxiang Wang, Man Wong, Series Resistance Extraction in Poly-Si TFTs With Channel Length and Mobility Variations, IEEE Electron Device Letters, Vol. 32(7), pp. 901-903, 2011.

10.    Lei LU, Mingxiang Wang, Man WONG, A New Observation of the Elliot Curve Waveform in Charge Pumping of Poly-Si TFTs, IEEE Electron Device Letters, Vol.32(4), pp. 506-508, 2011.


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